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。●初级与次级主绕组必须是近相邻的绕组，这样耦合会更有利。●开关电源在MOSFET-D端点工作时候产生的干扰是（也是RCD吸收端与变压器相连的端点），在变压器绕制时建议将他绕在变压器的个绕组，并作为起点端，让他藏在变压器里层，这样后面绕组铜线的屏蔽是有较好抑制干扰效果的。●VCC绕组在计算其圈数时尽量的在IC工作电压乘以1.1倍作为误差值，不用考虑铜线的压降，因为启动前电流是非常小的，所以这个电阻并没有多少影响，几乎可以忽略不计。

10.电路调试，二极管并联时,应该测试一颗二极管故障开路时, 产生的异常(包括TO-220 里的两颗二极管)。理由：品质提升 小公司一般都不会做这个动作的，一款的产品是要经得起任何考验的。 11.电路设计，如果PCB空间充裕，请设计成通杀所有安规标准。理由：减少PCB修改次数。 如果你某一产品是符合UL60335标准，哪天客户希望满足UL1310，这时你又得改PCB Layout拿去安规报备了，如果你画的板符合各类标准，后面的工作会轻松很多。 12.电路设计，关于ESD请设计成接触±8KV/空气±15KV标准。理由：减少后续整改次数。


LEB前沿消隐时间设短了，比尖峰脉冲的时间还短，那就没有效果了还是会误判；如果设长了，真正的过流来了起不到保护的作用。 Rcs与Ccs的RC值不可超过1NS的Delay，否则输出短路时，Vds会比满载时还高，超过MOSFET耐压就可能造成炸机。 经验值1nS的Delay约等于1K对100PF，也等于100R对102PF 16.画小板时，在小板引脚的90度拐角处增加一个圆形钻孔。理由：方便组装 如图： 实物如图： 实际组装如图： 这样做可以使小板与PCB大板之间紧密贴合，不会有浮高现象 17.电路设计，肖特基的散热片可以接到输出正极线路，这样铁封的肖特基就不用绝缘垫和绝缘粒 18.电路调试，15W以上功率的RCD吸收不要用1N4007，因为1N4007速度慢300uS，压降也大1.3V，老化过程中温度很高，容易失效造成炸机 19.电路调试，输出滤波电容的耐压致少需符合1.2倍余量，避勉量产有损坏现象。


为了节约成本，公司并不让我这样做，因为套磁珠影响了成本，当即NG掉此PCB布局，采用图一a方式PCB关键布局走线。 变压器绕法不变：Np1→VCC→Ns1→Ns2→铜屏蔽0.9Ts→NpPCB关键布局：Y电容地→变压器地→大电容地注：变压器内部的初级出线及次级出线有交叉图一a （115Vac） 图一a可以看出，改变PCB布局后130M-200M已经完全被衰减，但是30-130M没有图一效果好，可能变压器出线无交叉好一些。仔细观察，此IC具有抖频功能，传导部分频段削掉了一些尖峰；